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彩票网站注册-英特尔10nm还没量产,三星3nm就要来了

彩票网站平台_彩票注册:在上周的英特尔资本日,英特尔透露了公司10纳米芯片延迟的原因,并声称将在2021年宣布7纳米GPU(见上一份报告)。但在最近的SFF(三星代工厂论坛)美国分会上,三星回应称,公司还将在2021年发布突破性产品——,基于3n m GAA(gate all about)工艺;性能提升35%,功耗降低50%,芯片面积增加45%。三星发布的消息引起了震动,但是Intel 10nm还没有量产,三星的3nm也来了。3nm靠GAA技术:图片来自CNET。

几十年来,晶体管仍然是处理器的基本组件,增加晶体管的尺寸是取决于芯片革命的关键因素。然而,近年来,芯片行业仍然难以克服极端小型化带来的挑战。

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三星的新产品构建GAA技术,需要对芯片的核心晶体管进行新的设计和重构,使其更小更慢。但是在早期的设计中,芯片电路中的电流仍然是由地下通道顶部的“门”控制的,而GAA则不同。——这个技术用特定的材料覆盖了整个现在的地下通道,类似于一个3D结构,比之前的“闸门”简单很多。有人假设GAA晶体管地下隧道是一个叫纳米线的小圆柱体,但三星的设计是用于一个叫纳米片的平缓地下隧道。

国际商业战略咨询公司CEO韩德尔琼斯(Handel Jones)表示:三星的研究项目已取得初步成果,在公认会计准则方面领先TSMC约12个月;英特尔很可能领先三星两到三年。三星的突破可能远远超出摩尔定律的预期,进一步让我们的手机、手表、汽车、家用设备显得更智能。

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三星OEM业务营销副总裁瑞恩李也在此次会议上作出回应。GAA将标志着三星OEM业务向新时代的过渡;三星的新产品将成为其未来与英特尔和TSMC竞争的关键一步。

三星3n mm工艺路线图在此次SFF上,三星回应称,第一批用于智能手机等移动设备的3n mm芯片将于2020年进行测试,2021年量产。对于更高性能拒绝的芯片,比如数据中心的图形处理器和AI芯片,将在2022年问世。

英特尔和TSMC目前还没有对此事发表评论。目前为止,三星生产的芯片已经用于7nm工艺;不过它并没有输给这个,继续大幅度提高7nm,把电路提高到6nm,5nm,甚至4nm;但三星现阶段的最终目标是利用GAA技术将电路增加到3mm。瑞恩李也没有预测三星芯片的未来:GAA的发展可能使2纳米甚至1纳米技术成为可能。

虽然我们不确定它会是什么样的结构,但我们相信这样的技术不会经常出现。被迫否认,瑞恩李的预测显然非常大胆,但从实际情况来看,芯片制造商仍然担心芯片小型化过程中几十年不会遇到的障碍。就像人们多次把芯片工艺从0.13微米变成130纳米,现在人们突破了无穷大;也许未来芯片厂商会占据更小的单元,比如皮米。

3纳米的成本可能会让人承认三星多年来仍在生产芯片,但在2017年,对于三星电子(Samsung Electronics)以外的客户,该公司将代工部门拆分为独立的业务。彩票网站平台于是像高通这样的公司开始与三星合作,依靠三星在Snapdragon生产730芯片,在Snapdragon生产730 G芯片。在处理器生产高峰期,新一代技术会带来更小更慢的芯片,降低功耗。现在很难做到三者兼顾。

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但是客户还是会毫不犹豫的自由选择三星的3nm技术,因为很开心。就像三星的5nm芯片比现在的7nm芯片略好一样,3nm在定价时也不会比5nm好。但负责人对3nm的前景深感悲观,回应称成本在逐渐上升。 (微信官方账号:)记录:本文的编译器是经CNET版权文章许可发布的。

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